收藏本站
MMBD7000LT1G, SMMBD7000LT1G, MMBD7000LT3G, SMMBD7000LT3G
http://onsemi.com
3
CURVES APPLICABLE TO EACH DIODE
Figure 2. Forward Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1.0
10
100
0.1
Figure 3. Leakage Current
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
0.001
0
I
1.0
0.1
0.01
10 20 30 40 50
I
1.0 1.2
0.2 0.4 0.6 0.8
Figure 4. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0
C
0.68
0.64
0.60
0.52
0.56
2.0 4.0 6.0 8.0
, FORWARD CURRENT (mA)
F
TA
= 85
?C
TA
= -40
?C
TA
= 25
?C
, REVERSE CURRENT ( A)
R
, DIODE CAPACITANCE (pF)
D
TA
= 25
?C
TA
= 55
?C
TA
= 85
?C
TA
= 150
?C
TA
= 125
?C
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SMMBD701LT1G DIODE SCHOTTKY 200MW 70V SOT23
SMS7621-096 DIODE SCHOTTKY SILICON 2V 0201
SR20200-G DIODE SCHOTTKY 20A 200V ITO220AB
SS10P3CLHM3/86A DIODE SCHOTTKY 10A 30V SMPC
SS10P4CHM3/86A DIODE SCHOTTKY 10A 40V SMPC
SS12P4CHM3/86A DIODE SCHOTTKY 12A 40V SMPC
SS6P4CHM3/86A DIODE SCHOTTKY 6A 40V SMPC
SS8P3CLHM3/86A DIODE SCHOTTKY 8A 30V SMPC
相关代理商/技术参数
SMMBD701LT1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel
SMMBD701LT1G 功能描述:肖特基二极管与整流器 SS SWCH DIO SPCL RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
SMMBD770T1G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200MA 70V SOT-323 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879
SMMBD914LT1G 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO SPCL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
SMMBD914LT3 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
SMMBD914LT3G 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO SPCL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
SMMBF4391LT1G 功能描述:JFET SS JFET NCH 30V TR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
SMMBF4393LT1G 功能描述:TRANS JFET N-CH 30V SOT-23-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET（结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW